Remplace l'article 5 du chapitre 2 de la norme NF EN 60749 (C96-022) de décembre 1999
Résumé
La présente partie de la IEC 60749 décrit un essai utilisé pour déterminer les effets d'accélération constante sur les dispositifs à semiconducteurs de type à cavité. Il s'agit d'un essai accéléré destiné à indiquer les types de faiblesses structurelles et mécaniques non nécessairement détectées dans les essais de chocs et de vibrations. Il peut être utilisé en tant qu'essai (destructif) à contrainte élevée pour déterminer les limites mécaniques du boîtier, de la métallisation interne et du système de sortie, de la fixation de la pastille ou du substrat, et d'autres éléments du dispositif microélectronique. Lorsque des niveaux de contrainte appropriés ont été établis, cette méthode d'essais peut également être employée comme un écran non destructif en-ligne à 100 % pour détecter et éliminer les dispositifs avec des contraintes mécaniques inférieures à la normale dans n'importe quel élément structurel.Cette méthode d'essai d'accélération constante est, en général, en accord avec la IEC 60068-2-7, mais en raison d'exigences spécifiques aux semiconducteurs, les articles de la présente norme s'appliquent.