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IEC 60749-2:2002 ED1

avr. 2002 Actuel

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 2: Basse pression atmosphérique Actuel IEC 60749-2:2002/COR1:2003 ED1 Corrigendum de Date de publication : août 2003 Langue: Anglais/Français Format: En ligne, En ligne + PDF

Résumé

Décrit l'essai de basse pression atmosphérique appliqué aux dispositifs à semiconducteurs. L'essai est essentiellement destiné à déterminer la capacité des éléments et des matériaux des composants à éviter les claquages provoqués par la rigidité diélectrique amoindrie de l'air et des autres matériaux isolants à des pressions réduites n'est applicable qu'aux dispositifs dont la tension de fonctionnement dépasse 1 000 V. Cet essai est applicable à tous les dispositifs à semiconducteurs qui sont installés dans des boîtiers pourvus de cavités internes. Cet essai est uniquement destiné aux applications militaires et spatiales. Le contenu du corrigendum d'août 2003 a été pris en considération dans cet exemplaire.

Spécifications des produits

Standard de IEC
Publié: 12 avril 2002
Version: 1
Type de document: IS
Pages
ISBN: 2831862817

Editeur: IEC
Distributeur: IEC
ICS: 31.080.01
Comité international: TC 47

Relations produit

Remplace partiellement: IEC 60749:1996+AMD1:2000+AMD2:2001 CSV ED2.2
Remplace partiellement: IEC 60749:1996 ED2

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