Standard

SAE 2008-01-2883

nov. 2008 Actuel

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Résumé

Vertical-Junction-Field-Effect-Transistors (VJFETs) are currently the most mature SiC devices for high power/temperature switching. High-voltage VJFETs are typically designed normally-on to ensure voltage control operation at high current-gain. However, to exploit the high voltage/temperature capabilities of VJFETs in a normally-off high-current voltage-controlled switch, high-voltage normally-on and low-voltage normally-off VJFETs were connected in the cascode configuration. In this paper, we review the high temperature DC characteristics of VJFETs and 1200 V normally-off cascode switches. The measured parameter shifts in the 25°C to 300°C temperature range are in excellent agreement with theory, confirming fabrication of robust SiC VJFETs and cascode switches.

Spécifications des produits

Standard de SAE International
Publié: 11 novembre 2008
Type de document: IS
Pages
ISBN:

Editeur: SAE International
Distributeur: SAE International

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