Standard

IEC 60749-11:2002 ED1

avr. 2002 Actuel

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Corrigendum 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains Actuel IEC 60749-11:2002/COR2:2003 ED1 Corrigendum de Date de publication : août 2003 Langue: Anglais/Français Format: En ligne, En ligne + PDF
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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains Actuel IEC 60749-11:2002/COR1:2003 ED1 Corrigendum de Date de publication : janv. 2003 Langue: Anglais/Français Format: En ligne, En ligne + PDF

Résumé

Définit la méthode d'essai de variations rapides de température et la méthode des deux bains. Cette dernière méthode d'essai peut égale-ment être utilisée, en appliquant moins de cycles, pour déterminer l'effet de l'immersion dans des liquides chauds qui est utilisée pour le nettoyage des dispositifs. Cet essai est applicable à tous les dispositifs à semiconducteurs. Il est considéré comme destructif, sauf stipulation contraire dans la spécification applicable. Le contenu des corrigenda de janvier 2003 et d'août 2003 a été pris en considération dans cet exemplaire.

Spécifications des produits

Standard de IEC
Publié: 12 avril 2002
Version: 1
Type de document: IS
Pages
ISBN: 2831862957

Editeur: IEC
Distributeur: IEC
ICS: 31.080.01
Comité international: TC 47

Relations produit

Remplace partiellement: IEC 60749:1996+AMD1:2000+AMD2:2001 CSV ED2.2
Remplace: IEC PAS 62185:2000 ED1
Remplace partiellement: IEC 60749:1996 ED2

IEC 60749-11:2002 ED1

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