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IEC 63229:2021 ED1

Apr 2021 Aktuell

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Zusammenfassung

IEC 63229:2021(E) gives guidelines for the definition and classification of defects in GaN epitaxial film grown on SiC substrate. They are identified and described on the basis of examples, mainly by schematic illustrations, optical microscope images, and transmission electron microscope images for these defects. This document covers only defects in as-grown GaN epitaxial film on SiC substrate and does not include defects caused by subsequent processes.

Produktspezifikationen

Standard von IEC
Ausgabedatum: 7. April 2021
Edition: 1
Dokumenttyp: IS
Seiten
ISBN: 9782832296691

Herausgeber: IEC
Lieferant: IEC
ICS: 31.080.99
Internationales Komitee: TC 47

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